川双边0.1C电流密度下循环3次后不同电解液中石墨表面的TEM图：原始石墨（c）。

【引言】最近，关于购电告随着物联网(IoT)和人工智能(AI)技术各种领域占据主导地位，对高转换速度、大存储容量、低功耗的下一代存储设备的需求大幅增加。因此，开展迫切需要一种基于特定材料的新型LEM结构，促进光子系统和电阻开关之间的无缝集成，以克服这些挑战。

图5Ag/CsPbBr3 QDs/ITO器件功能的主动切换a）示意图说明了CsPbBr3 QDs基器件的双重功能，年直既可以是RRAM，通过改变偏置极性也可以是LEC。它们可以很容易地通过溶液方法进行处理，交易并可用于高可扩展应用的低成本、大规模生产的光电器件。其中，川双边由简单的金属/绝缘体/金属薄膜堆叠构成的非易失性电阻随机存取存储器（RRAM）是这场正在进行的数字革命的重要组成部分。

最近开发的光学可读存储器将传统的RRAM与发光二极管（LED）集成在一起，关于购电告以克服这个问题，关于购电告在RRAM的HRS和LRS直接识别的存在或没有电致发光（EL）从LED发射。开展d）CsPbBr3 QDs的(200)晶面的高分辨率TEM。

钙钛矿QD层中由电驱动的离子运动使这种结构既可以作为快速、年直可靠的电记忆体，年直也可以作为快速、高效的光源，更重要的是，通过简单地调制其偏置极性，就可以在同一结构的双重功能之间快速切换。

交易b）CsPbBr3 QD基RRAM的典型I-V特性。川双边(C)计算水从纯水到ILC介质的自由能变化的热力学循环概述。

图6 通过MD计算得到了水和离子的输运性质，关于购电告并定量比较了双连续和柱状结构之间的扩散和自由能分布(A)用OPLS-DFT和TIP3P进行MD计算得到的铵基阳离子、关于购电告BF4阴离子和水分子的自扩散系数和(B)双连续和柱状结构的离子电导率。(E)在最终迭代步骤中阴离子、开展阳离子和阳离子内原子基团的电荷分布。

年直(H,K)中的空间密度分布沿(C)和(F)中的y轴计算。交易(D)水分子在ILC中的溶剂化自由能Δμin-ILC和(E)纯水介质与ILC之间的溶剂化自由能ΔΔμ的变化。